宥達興業股份有限公司

宥達興業股份有限公司成立於2006年，憑藉技術創新、卓越品質和利潤共享的經營理念，長期在LED光源與電腦散熱產業中蓬勃發展。公司已取得美國、台灣、中國等國的發明專利，並成為全球知名的LED光源、聚光型砷化鎵太陽電池、薄膜可撓砷化鎵太陽能和電腦散熱專業製造商。通過長期的焠鍊與考驗，宥達興業已奠定企業永續發展的基石，為客戶提供高品質的產品和服務。

公司主要從事的主營項目包括LED光源、聚光型砷化鎵太陽電池、薄膜可撓砷化鎵太陽能和電腦散熱產品。公司以技術創新和品質卓越見稱，致力於為客戶提供高效能、可靠性和可擴充性的產品。

在產品方面，宥達興業股份有限公司提供的HLNAND快閃記憶體產品具有卓越的性能和可靠性。基於獨特的菊花環架構，HLNAND超越了傳統NAND快閃記憶體產品，為快閃記憶體儲存系統帶來更好的效能和可擴充性。產品特點包括高速介面、低功耗、理想的訊號完整性和高容量，滿足客戶對快閃記憶體產品的需求。

在服務方面，宥達興業股份有限公司致力於為客戶提供專業的服務和支持。公司擁有一支高效的團隊，能夠及時回應客戶的需求，提供量身定制的解決方案，確保客戶的滿意度。

未來，隨著科技的不斷發展和市場的擴大，LED光源、太陽能和電腦散熱產業將迎來更多的機遇和挑戰。作為一家技術創新和品質卓越的企業，宥達興業股份有限公司將繼續致力於產品研發和服務升級，與客戶攜手共創美好未來。

歡迎有需求的客戶向宥達興業股份有限公司發出需求，洽談合作，共同開創更加美好的明天。

自 2006 年成立至今, 憑著技術創新, 卓越品質, 利潤共享的經營理念, 長期在 LED 光源與電腦散熱產業深根茁 壯, 奠定企業永續發展的基石, 長久的的焠鍊與考驗, 高導熱石墨已取得美國, 台灣, 中國等國發明專利。運用於石墨基板及吸波材及 新型能源上 。使「宥達興業」成為全球知名的 LED 光源, 聚光型 砷化鎵 太陽電池, 薄膜 可撓 砷化鎵 太陽能 與電腦散熱專業製造商。

關鍵詞：NAND,快閃記憶體,HLNAND快閃記憶,HLNAND,記憶體
與使用傳統 NAND 快閃記憶體裝置的快閃記憶體儲存系統相比，新一代快閃記憶體可提供卓越的可擴充性、效能和可靠性。

HLNAND 基於獨特的菊花環架構構建，該架構超越了業界標準 NAND 快閃記憶體產品中使用的平行總線架構


為快閃記憶體實現的點對點環形拓撲
每個設備驅動單點負載
每個通道的設備數量幾乎不受限制
不需要 ODT



創新架構：超大規模記憶體架構
高速介面：533/667/800/1066/1333/1600 MT/s
低功耗：環形拓撲，無需片上端接和智慧型 IO 開關電源截斷
理想的訊號完整性：高速通道的點對點菊花鏈
與 NAND 無關：SLC、eMLC、MLC、TLC
高容量：1Tb 和 2Tb HLNAND、4Tb 3D HLNAND


關鍵詞：NAND,快閃記憶體,HLNAND快閃記憶,HLNAND,記憶體
與使用傳統 NAND 快閃記憶體裝置的快閃記憶體儲存系統相比，新一代快閃記憶體可提供卓越的可擴充性、效能和可靠性。

HLNAND 基於獨特的菊花環架構構建，該架構超越了業界標準 NAND 快閃記憶體產品中使用的平行總線架構


為快閃記憶體實現的點對點環形拓撲
每個設備驅動單點負載
每個通道的設備數量幾乎不受限制
不需要 ODT



創新架構：超大規模記憶體架構
高速介面：533/667/800/1066/1333/1600 MT/s
低功耗：環形拓撲，無需片上端接和智慧型 IO 開關電源截斷
理想的訊號完整性：高速通道的點對點菊花鏈
與 NAND 無關：SLC、eMLC、MLC、TLC
高容量：1Tb 和 2Tb HLNAND、4Tb 3D HLNAND


關鍵詞：NAND,快閃記憶體,HLNAND快閃記憶,HLNAND,記憶體
與使用傳統 NAND 快閃記憶體裝置的快閃記憶體儲存系統相比，新一代快閃記憶體可提供卓越的可擴充性、效能和可靠性。

HLNAND 基於獨特的菊花環架構構建，該架構超越了業界標準 NAND 快閃記憶體產品中使用的平行總線架構


為快閃記憶體實現的點對點環形拓撲
每個設備驅動單點負載
每個通道的設備數量幾乎不受限制
不需要 ODT



創新架構：超大規模記憶體架構
高速介面：533/667/800/1066/1333/1600 MT/s
低功耗：環形拓撲，無需片上端接和智慧型 IO 開關電源截斷
理想的訊號完整性：高速通道的點對點菊花鏈
與 NAND 無關：SLC、eMLC、MLC、TLC
高容量：1Tb 和 2Tb HLNAND、4Tb 3D HLNAND

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